电源、负载和电池模拟三个部分， 同时利用BV2910B电池模拟软件来控制和获得数据， 并进行分析

在上车的方案， 车厂用的是自己研发出的热管理模块

对于放电波形没有要求哦，方波放电也是可以的

需要通过软件，有一定的参数模板

电池的低压保护电压

可以有1000小时的记录

需要配置RPS电源主机

通过对电池的循环充放电， 在这个过程中， 可以模拟不同的负载模型，同时记录充放电的电量值， 来判断电池的衰减情况以及预期寿命

目前还没有看到。 已经看到一些头部企业在做这方面的研究， 有些已经上车。 但作为行业标准，还是未知数

必须滴

这是电化学的问题， 我们只是测到的这个现象， 但需要电化学的工程师来解释

必须滴

一般是几百A，有更高的一个需求趋势

是的

只能通过测量的方法活动

可以对循环充放电寿命进行测试

内阻高接到负载的电压就会低，可释放出的电量就会降低

电动汽车也避免不了快充满时的涓流，应该是充电桩在检测到一定的电流后就停止充电了吧

需要搭配温度监控设备，比如DAQ数采

并不是说通过加热去增加电池的容量，而是去激活电池活性，比如从零下加热到15/20度，让电池能够进行充电

对汽车品牌没有限制

E36731A是新推出的电池模拟器平台，您提到的这些除了温度都能进行测试，温度需要搭配另外的温度监控设备进行测试

没错，为什么电流必须比电压慢？

头部已经开始商用

电池模型支持二次修改或者直接提取

可以理解成保护被测件

在电池测试和模拟时，本质是电子电路 和 电化学 直接的替换， APS的响应速度 更佳接近 电池

外部加热必然出现这种问题，所以我们今天探讨的自加热方案可以很好的一致性

yes

全太阳能汽车有车企在研发中

充电环节，在低温环境下很多时候都充不进去，所以在充电之前先对电池加热增加电池活性

赞

电池是一个电压源，内阻可以理解为电压源内部的电阻，对其充，放电有非常大的影响。

好问题，现在开关电源采用WBG功率器件，EMC也是一个非常重要的问题

SOC,开路电压，内阻等

没有最理想，“八仙过海”，譬如出租车司机一直开

单机最大30KW,电压2000V

电池模拟器有一个功能模块就是循环寿命测试

是德科技的APS先进电源系统，可以实现任意波形的编辑和输出

非也，模拟器可以去模拟内阻，但并不能影响电池的真实电阻

这里用“预测”比较好，精准度取决于对电池特性建模的准确性。

Status of Charge, 即电荷、库伦量

充放电时，电流模式；模拟电池时，电压模式

原理是通过电流脉冲测量电压变化从而得到瞬时电阻

从锂电池ACR和温度特性测量看，锂电池续航怕冷，但电池温度过高，安全性会下降

如果平均电流相同的情况下，稳定的电流放电更彻底

这种情况应该与 电池管理水平有关

电池模型构建的Voc,Soc和ACR直接的矩阵

测试方案可以测量任意状态下的电池模型和模拟出对应状态的电池。

都在尝试中，今天分享的就是其中一种思路

测试电源或复杂，都具备过压，过流保护的

注入交流电流，测量对应的电压幅值，所以也称作 ACR

对于电池容量和放电能力都有影响

今天直播的重点就是这个，后面有实操演示

可以的，内阻测试是电池测试模拟最关键的点

对电池种类没有要求，常见的电池类型都可以

因为上升速度快，需要更高的带宽，对寄生参数更为敏感

这是三代半最大的优势

单管400A

视频展示中看到了，整个过程也就几秒

测温京都为0.1度

可以配置步进电压，根据步进值进行自动测量，每次数据独立呈现

最好不要，下管测量中可以使用单端探头，但是单端耐压不够，示波器还是比探头贵的多的

整机采用220V 10A接口供电，非常方便

测温会有相应的温控，演示中采用标准成品SIC管

可以单独加热，具备独立夹具

天下武功唯快不破

动态测试速度快，发热低

不会的

2000V

要有更高带宽的示波器和探头，针对SiC最少要350MHz的带宽 推荐使用500MHz

标配2000V 400A 如果需要更大也可以定制

Keysight合作方采用Keysight仪器制作

主要是考虑散热，以及连接长度对寄生参数的影响，比如GaN就比较少用pin脚长的

视频有详细讲解

可能是由周边的高频噪声引起的，可以尝试加强接地的方式，并检查环境中可能存在的高频成分。

根据使用需求可以提供不同的配置，最高可以到1GHz带宽 完全能够满足宽禁带器件测试需求

专用的测量温度夹具，是内嵌测量的，所以传感器不可以更换

采用高共模抑制比探头

功率器件参数测试和验证

如果需要测试稳定，可以选择数据采集器

驱动目前采取磁隔离驱动

不会的

包含在系统中

示波器，信号源，电源，探头都是可选配的

工作时间很短 不需要考虑散热

每次测试自动保存数据，支持测试数据生成报告

多种电感可调

实验室用为主，如果有生产使用需求也可以定制

主要应用于功率器件动态特性评估

上管GE 上管CE 上管电流， 下管GE 下管CE 下管电流。

系统板的测试单独购买示波器+探头等设备就可以，如果是双脉冲板也可以使用这个系统定制开发

需要

双脉冲测试器件只需要开关两次，不需要考虑散热问题

测试功率半导体器件的

上管的参数测试都需要隔离采集

是隔离的。

多次测试端结果吻合度高

上升时间GaN最快可以到5ns以内

IEC和JEDEC都有相关标准，动态的主要以JEDEC的标准为主

建议还是不要直接插入，一个是测试仪器的测试端形态是固定的，连接不一定稳定，另一个问题是不能保证准确 测量

和Si MOS的米勒平台是一个原因，都是栅极电容充电造成的

具备完善的驱动系统，稍后演示会详细讲解，不要走开，记得填写调查问卷领取奖品

针对动态的Vgs、Vds、ID均有曲线及报表，稍后演示中会详细呈现

视频中有详细说明

最高2200V

驱动侧信号精度能做到nS级别

可以

有的

您可以填写调查问卷，稍后会联系您进行发送资料

没错， 是德科技在山东省的授权分销商是青岛鲁芯。 联系电话15953279543

可以的

常规支持1200V器件测试，最高母线电压为2KV，可以进行拓展与定制

动态测试不需要，有的功率器件建模需要用到S参数，用网分测试即可

一般采用双脉冲方式进行测试

SiC就是替代IGBT的

测试设备支持温控系统，可以进行温控测量

稍后会进行测试演示

示波器只是其中一部分

器件的开关过程中

确切的说，只能测量出来，计算的不准确

IGBT

别急， 我们会详细介绍到

最高可支持MHz级别的驱动频率，但产品设计要考虑的地方很多， EMI和驱动及开关损耗等，不能一味去看频率

相对Si Mosfet，反向恢复电流已经很小了，PCB Layout上可能更需要注意

一般按照JESD22标准下的HTRB/H3TRB/HAST/ESD等都有做

和Si Mosfet一样

SiC MOSFET和IGBT都适用于大功率应用，但是IGBT通常开关频率在40KHz以下，而SiC MOSFET开关频率可以做到一两百KHz可以有效减少磁性元件的体积和成本。

与实际工况下的功率耗散也有关。

开尔文S极主要测驱动时的串扰，功率S极主要测Vds振荡。

有，在规格书上有曲线图的

不可以，性能上还是有差别的。

碳化硅（SiC）器件的常见失效模式包括以下几种： 1. 热失效：由于高温操作或过热导致的器件失效。这可能是由于过高的功率密度、不良的散热设计或环境温度过高等原因引起的。 2. 功率循环失效：在功率循环应用中，由于频繁的开关操作和温度变化，可能导致器件的失效。这可能包括热应力、热膨胀不匹配、热冲击等。 3. 电压应力失效：由于过高的电压应力导致的器件失效。这可能是由于过高的电压峰值、过高的电压斜率或过高的电压变化率等原因引起的。 4. 电流应力失效：由于过高的电流应力导致的器件失效。这可能是由于过高的电流密度、过高的电流峰值或过高的电流变化率等原因引起的。 5. 电热失效：由于电流和热量的相互作用导致的器件失效。这可能是由于过高的电流密度和过高的温度导致的。 6. 电压逆变失效：由于电压逆变或过高的反向电压导致的器件失效。这可能是由于过高的反向电压峰值、过高的反向电压斜率或过高的反向电压变化率等原因引起的。 7. 电磁干扰（EMI）失效：由于电磁干扰引起的器件失效。这可能是由于电磁辐射、电磁感应或电磁耦合等原因引起的。 需要注意的是，具体的失效模式可能因不同的SiC器件类型、应用条件和制造商而有所不同。在使用SiC器件时，建议参考器件的规格书和制造商的建议，以了解具体器件的失效模式和相应的防护措施。

米勒效应（Miller Effect）是指在放大器中，输入和输出之间的电容通过放大器的电压增益而引起的反馈效应。它主要发生在共射放大器或共基放大器等具有电容耦合的放大器电路中。 米勒效应的形成原因是输入电容（通常是栅极-漏极电容Cgd）和放大器的电压增益之间的相互作用。当输入电容被放大器的电压增益放大时，它会产生一个反馈信号，影响放大器的输入和输出特性。

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SIC器件的封装材料与Si器件可能存在一些差异，主要是由于碳化硅（SiC）器件的特殊性质和要求。 在一般的硅（Si）器件中，常用的封装材料包括塑料（如环氧树脂）和陶瓷（如铝氧化物）。这些材料具有良好的绝缘性能和机械强度，适用于一般的低功率和中功率应用。

碳化硅（SiC）的衬底通常是由单晶SiC材料制成。衬底是SIC器件的基础，用于提供晶体结构和支撑层

开关损耗是开关器件本身开关过程中漏源极电压电流交叠产生的不可避免的损耗，外围驱动电路可以尽量减小这个过程产生的损耗。

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NCD57252,NCD57080,NCP51561

选择使用模块化（模组）SiC上下管控制方案可以提供更方便和可靠的解决方案，尤其适用于高功率和高温应用。

要看具体情况，有部分兼容，有部分不兼容

Spice模型仿真来的电热数据有一定参考意义，还需结合实际Layout的寄生参数带来的影响。

要改善碳化硅（SiC）器件的并联均流效果，可以采取以下几种方法： 选择相同参数的器件：确保并联的SiC器件具有相同的参数，如电流和电压等。这有助于确保器件在并联工作时能够均匀分担负载。 热管理：在并联应用中，热管理非常重要。确保器件的温度均匀分布，避免热点集中在某个器件上。可以采用散热片、散热器和风扇等散热措施，以提高热量的分散和散发。 电流均衡电路：使用电流均衡电路来实现并联器件之间的电流均衡。这些电路可以通过调整电流分配来确保每个器件承担相同的负载。 精确的驱动和控制：确保并联器件的驱动和控制信号精确一致。这可以通过使用精确的驱动电路和控制算法来实现。 优化布局和连接：在设计中，优化器件的布局和连接方式，以确保并联器件之间的电流和热量分布均匀。避免长导线和高阻抗连接，以减小电流和热量的不均衡。 反馈和监测：使用反馈和监测电路来实时监测并联器件的电流和温度等参数。这可以帮助及时发现和纠正任何不均衡或故障情况。

无米勒钳位（Miller Clamp）是一种用于抑制MOSFET开关过程中的反馈效应的电路技术。在MOSFET开关过程中，栅极-漏极电容（Cgd）会导致反馈效应，从而影响开关速度和性能。

主要有三种, 1. 垂直结构（Vertical Structure）：在垂直结构中，源极和漏极是沿着晶体的垂直方向排列的。这种结构通常用于高电压应用，可以承受较高的电压。3. 水平结构（Lateral Structure）：在水平结构中，源极和漏极是沿着晶体的水平方向排列的。这种结构通常用于低电压应用，具有较低的导通电阻和较高的开关速度.2. 垂直-水平混合结构（Vertical-Horizontal Hybrid Structure）：这种结构将垂直结构和水平结构相结合，以兼顾高电压和低电阻的要求。在这种结构中，源极和漏极是沿着晶体的垂直方向排列，而栅极则是沿着晶体的水平方向排列。

要降低MOSFET开关时的电磁干扰（EMI）干扰，可以采取以下几种方法： 优化布局：合理布局电路板，尽量减少高频回路的长度和面积，减小回路的环路面积。将高频和低频电路分开布局，减少相互干扰。 使用滤波器：在MOSFET的电源线和信号线上添加适当的滤波器，如电容器、电感器和磁珠等，以抑制高频噪声和EMI干扰。 地线设计：确保良好的地线设计，包括使用大面积的地平面和短而宽的地线，以提供低阻抗的回路路径，减少EMI干扰。 屏蔽和隔离：使用屏蔽罩、金属盖、金属屏蔽壳等来隔离MOSFET和敏感电路，减少EMI的传播和干扰。 选择合适的开关频率：选择适当的开关频率，避免频率与其他系统或设备的频率相互干扰。 使用软开关技术：采用软开关技术，如零电压开关（ZVS）或零电流开关（ZCS），可以减少开关过程中的电压和电流突变，从而减少EMI干扰。 合理选择元件：选择低EMI的MOSFET器件，如具有低导通电阻和低开关噪声的器件，以减少EMI干扰。 符合EMI标准：遵循相关的EMI标准和规范，确保设计符合EMI要求。

SIC米勒平台基于碳化硅（SiC）半导体材料，利用碳化硅器件的优势，如高温特性、高开关速度和低导通电阻等，来提供更高的功率密度、更高的效率和更好的性能。 SIC米勒平台包括多种产品系列，如SIC MOSFET、SIC Schottky二极管和SIC模块等。这些产品广泛应用于电动车辆、太阳能逆变器、工业电源和电动工具等领域，以提供更高效、更可靠的电源解决方案。

在传统工业，医疗等等，也在逐渐渗透

寄生二极管是在IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和碳化硅（SiC）MOSFET中存在的一个特性。它是由于器件内部的PN结构造成的，具有与普通二极管类似的特性。寄生二极管会对器件的性能和应用产生一些影响，具体如下： 续流能力：寄生二极管提供了续流路径，当IGBT或SiC MOSFET关闭时，负载中的电流可以通过寄生二极管继续流动。这对于一些应用中的续流要求是必要的，但也会导致额外的功耗和电压降。 反向恢复时间：当寄生二极管从导通状态切换到截止状态时，会有一个反向恢复时间。这个时间会导致一定的开关损耗和电压尖峰，影响器件的开关速度和效率。 在IGBT和SiC MOSFET之间，寄生二极管的参数也有一些差异： 正向电压降（Forward Voltage Drop）：IGBT的寄生二极管的正向电压降一般较低，通常在1V以下。而SiC MOSFET的寄生二极管的正向电压降一般较高，通常在1.5V至3V之间。 反向恢复时间（Reverse Recovery Time）：IGBT的寄生二极管的反向恢复时间较长，一般在数百纳秒至微秒级别。而SiC MOSFET的寄生二极管的反向恢复时间较短，一般在数十纳秒级别。

这个要具体看实际应用，一般在10-30欧这样

如果对体二极管有较高的性能需求，可以考虑外并SiC二极管

在选择碳化硅（SiC）MOSFET时，主要需要考虑以下几个关键参数： 额定电压（Rated Voltage）：这是MOSFET能够承受的最大工作电压。根据应用需求，选择适当的额定电压范围。 额定电流（Rated Current）：这是MOSFET能够承受的最大工作电流。根据应用需求，选择适当的额定电流范围。 开关速度（Switching Speed）：这是指MOSFET从导通到关断或从关断到导通的切换速度。较快的开关速度可以减少开关损耗，但也会增加开关驱动和开关元件的损耗。根据应用需求，选择适当的开关速度。 导通电阻（On-Resistance）：这是指MOSFET在导通状态下的电阻。较低的导通电阻可以减少导通损耗。根据应用需求，选择适当的导通电阻范围。 关断电阻（Off-Resistance）：这是指MOSFET在关断状态下的电阻。较低的关断电阻可以减少关断损耗。根据应用需求，选择适当的关断电阻范围。 温度特性（Temperature Characteristics）：这是指MOSFET在不同温度下的性能表现。考虑到应用环境的温度范围，选择具有良好温度特性的MOSFET。 可靠性（Reliability）：这是指MOSFET的长期稳定性和可靠性。考虑到应用的要求和寿命预期，选择具有良好可靠性的MOSFET。 除了上述关键参数，还需要考虑其他因素，如成本、封装类型、供应商可靠性等。根据具体应用需求，综合考虑这些参数，选择适合的碳化硅MOSFET。

不建议，当然，以双脉冲电路实测数据为准。

尽管碳化硅（SiC）器件具有许多优点，但也存在一些性能短板，包括以下几个方面： 制造成本：与传统的硅（Si）器件相比，碳化硅器件的制造成本较高。这主要是由于碳化硅材料的制备和加工技术相对复杂，以及生产规模相对较小所致。 制造工艺：碳化硅器件的制造工艺相对复杂，需要更高的工艺控制和更严格的制造条件。这可能导致制造过程的复杂性和成本的增加。 可靠性：尽管碳化硅器件具有高温稳定性和高电压能力，但在一些特定应用中，如高辐射环境下，碳化硅器件的可靠性可能会受到影响。此外，由于碳化硅材料的特殊性质，一些特定的可靠性问题，如漏电流增加和界面状态密度增加等，也需要得到更多的研究和解决。 封装技术：碳化硅器件的封装技术相对较新，尚处于发展阶段。与传统的硅器件相比，碳化硅器件的封装技术需要更高的温度和功率密度能力，以满足其高性能要求。因此，碳化硅器件的封装技术仍然面临一些挑战。

常见的可靠性测试有H3TRB等，按照规格书驱动电压的推荐值，实测电热应力参考具体器件的可靠性测试报告。

驱动电路：由于碳化硅MOSFET通常需要较大的驱动电流，因此需要确保驱动电路能够提供足够的电流来驱动碳化硅MOSFET。可能需要对驱动电路进行调整或增加驱动器来满足碳化硅MOSFET的驱动需求。 开关速度：碳化硅MOSFET具有较高的开关速度，可能需要对电路进行优化，以确保电路能够适应更快的开关速度。这可能涉及到电感、电容和电阻等元件的选择和调整。 热管理：碳化硅MOSFET具有较好的高温特性，但也会产生较高的功耗。因此，需要对电路的热管理进行评估和优化，以确保器件能够在高温环境下正常工作，并避免过热问题。 电源和保护电路：由于碳化硅MOSFET具有较低的导通电阻和较高的开关速度，可能需要对电源和保护电路进行调整，以确保电路能够提供足够的电流和保护器件免受过电流、过压等问题的影响。 PCB设计：碳化硅MOSFET的高频特性和高功率密度可能对PCB设计产生影响。可能需要考虑更好的散热设计、更短的导线长度、更好的电源布局等，以减少电路中的电感和电容等对性能的影响。

直播内容中有具体功率拓扑下的效率和损耗对比。

密勒平台（Miller platform）是一种用于分析和设计放大器的工具，特别是用于分析共源极放大器（common source amplifier）的频率响应。它是由美国电气工程师John M. Miller在1948年提出的。 密勒平台实质上是将放大器的输入电容和输出电容转换为等效电容，从而简化频率响应的分析。它基于以下两个假设： 1. 输入电容和输出电容可以被等效为一个电容，称为密勒电容（Miller capacitance）。 2. 密勒电容与放大器的电压增益之间存在一个比例关系。 通过将输入电容和输出电容等效为密勒电容，可以将放大器的频率响应转化为一个简单的电路，其中只包含一个等效电容和放大器的增益。这样，可以更容易地分析和设计放大器的频率特性。 密勒平台在放大器设计中具有重要的应用，特别是在高频放大器的设计中。它可以帮助工程师更好地理解和优化放大器的频率响应，以满足特定的性能要求。

目前电流20A以上其实都可以考虑用SiC替换

具体可以去官网仿真试试，https://www.onsemi.com/design/tools-software/elite-power-simulator-tool

我这边有四个硬并的

材料：碳化硅MOSFET使用碳化硅作为半导体材料，而硅MOSFET使用硅作为半导体材料。碳化硅具有较高的电子迁移速度和热导率，以及较低的导通电阻，使得碳化硅MOSFET具有更好的高温特性和功率密度。 结构：碳化硅MOSFET的结构与硅MOSFET有一些差异。碳化硅MOSFET通常采用垂直结构，其中包括垂直通道和垂直漏极。这种结构可以实现更低的导通电阻和更高的功率密度。而硅MOSFET通常采用水平结构，其中包括水平通道和水平漏极。 栅极结构：碳化硅MOSFET的栅极结构通常需要较高的栅极电流来实现快速的开关速度和低导通电阻。相比之下，硅MOSFET的栅极结构通常需要较低的栅极电流。 特性：由于碳化硅材料的特性，碳化硅MOSFET具有较高的开关速度、较低的导通电阻和较好的高温特性。而硅MOSFET则具有较低的制造成本和较好的低温特性。

不建议使用7V作为开通电压，7V大致处在米勒电压平台处，Rds(on)范围波动很大，极易造成器件热应力损坏！

栅极电压范围通常是在20V至30V之间

是的，一般情况下，碳化硅（SiC）MOSFET的驱动电流要比普通的硅（Si）MOSFET大。这是由于碳化硅MOSFET的栅极结构和材料特性导致的。 碳化硅MOSFET的栅极结构通常需要较高的栅极电流来实现快速的开关速度和低导通电阻。相比之下，普通的硅MOSFET通常需要较低的栅极电流。 此外，由于碳化硅材料的特性，碳化硅MOSFET的栅极电容较大，需要更大的电流来充放电，以确保快速的开关速度。 因此，在设计和应用中，驱动碳化硅MOSFET通常需要更大的驱动电流，以确保器件的正常工作和性能。 需要注意的是，具体的驱动电流要求取决于碳化硅MOSFET的型号、尺寸和工作条件等因素。在选择和使用碳化硅MOSFET时，建议参考其数据手册和规格表，以获取准确的驱动电流要求和其他电性能参数。

SiC MOSFET的热稳定性和长期可靠性如何保证？

SIC MOS主要使用在大功率产品，建议使用负压

驱动电压：碳化硅器件通常需要较高的驱动电压，一般在15V至20V之间，以确保充分的开启和关闭。而IGBT通常需要较低的驱动电压，一般在10V以下。 驱动电流：碳化硅器件通常需要较大的驱动电流，以实现快速的开关速度和低导通电阻。而IGBT通常需要较低的驱动电流。 开关速度：碳化硅器件具有较高的开关速度，可以实现更高的开关频率和更小的开关损耗。而IGBT的开关速度相对较慢，适用于低频应用。 热管理：由于碳化硅器件具有较高的功率密度，需要更好的热管理措施来确保器件在高温环境下正常工作。而IGBT的热管理相对较简单。 应用领域：碳化硅器件适用于高功率和高温应用，如电动车辆、太阳能逆变器和工业电源等。而IGBT适用于中功率和低频应用，如电力电子、电机驱动和UPS等。

以45KW DC-DC功率模块PSFB+SR100V输出来看，PSFB使用IGBT方案整体功率在93%，使用SiC MOSFET整体功率会提升到97%

主要是正向电压降,电流大小,反向漏电流,反向耐压

此处直播正在讲。

从长远来看，碳化硅（SiC）器件有潜力替代部分应用中的晶体管（IGBT），尤其是在高功率、高频率和高温应用中

碳化硅（SiC）MOSFET在降低系统成本方面具有以下潜在优势： 尺寸和重量减少：SiC MOSFET具有更高的功率密度和更高的开关频率，相比传统的硅功率器件，可以实现更小、更轻的系统设计。这可以减少材料成本和运输成本。 散热要求降低：由于SiC MOSFET具有更低的导通和开关损耗，相对于传统硅功率器件，它们产生的热量较少。这意味着系统可以采用更简单、更便宜的散热解决方案，从而降低散热成本。 提高效率：SiC MOSFET具有更低的导通和开关损耗，可以实现更高的转换效率。这意味着系统可以更有效地利用能源，减少能源消耗和运行成本。 减少冷却需求：由于SiC MOSFET的高效率和低损耗特性，系统的冷却需求可以降低。这可以减少冷却设备的数量和成本。 增加系统可靠性：SiC MOSFET具有更高的温度耐受能力和更低的故障率，可以提高系统的可靠性和寿命。这可以减少维护和更换部件的成本。

TO247-3/-4、TO263-7、PBAK(顶部散热)

不用计算，在规格书上一般有写明体内二极管的参数的

使用光隔离探头。

电路需要续流，且没有提二极管集成在内部，就需要并联二极管

不一定，有些是，有些不是，具体要看规格书上有写明

在大电流和高电压下，SiC MOSFET可以通过以下方式来保持稳定的性能： 散热设计：大电流和高电压会产生较大的功率损耗和热量。因此，系统需要进行有效的散热设计，以确保SiC MOSFET的温度在可接受范围内。这可以包括使用散热器、风扇或液冷系统等散热解决方案。 电源设计：在大电流和高电压下，电源系统需要提供稳定的电压和电流。这可以通过合适的电源设计、滤波和稳压控制来实现，以确保SiC MOSFET获得稳定的电源供应。 适当的驱动电路：SiC MOSFET需要适当的驱动电路来确保快速而可靠的开关操作。驱动电路应能够提供足够的电流和电压来充放电门极电容，并确保适当的上升和下降时间。这有助于减少开关过程中的功耗和热量产生。 热管理：除了散热设计外，还可以采用其他热管理技术来降低温度。例如，可以使用热传导材料来提高散热效率，或者采用热管、热沉等技术来分散和吸收热量。 保护电路：为了保护SiC MOSFET免受过电流、过电压和过温等异常情况的影响，可以使用适当的保护电路。这些保护电路可以监测和控制SiC MOSFET的工作状态，以确保其在安全范围内运行。

测试方法一：常规方法是使用示波器和电压探头来测量IGBT的饱和压降。将示波器的探头连接到IGBT的集电极和发射极之间，以测量饱和压降。在测试过程中，逐渐增加IGBT的基极电流，观察饱和压降的变化。 测试方法二：另一种方法是使用专用的IGBT测试仪器，如IGBT测试台或IGBT测试夹具。这些仪器通常具有内置的电流和电压测量功能，可以更方便地测试IGBT的饱和压降

提高开关频率，优化Layout，热仿真。

当然是碳化硅，这是SiC 的特性优点

碳化硅（SiC）MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）的生产工艺与平面MOS和CoolMOS有一些区别。以下是它们之间的主要区别： 材料：平面MOS和CoolMOS使用的是硅（Si）作为半导体材料，而SiC MOS使用的是碳化硅（SiC）作为半导体材料。碳化硅具有更高的电子迁移率和更高的击穿电场强度，使得SiC MOS具有更好的功率处理能力和更高的工作温度。 设计结构：平面MOS和CoolMOS采用传统的垂直结构，其中沟道和漏极位于同一平面上。而SiC MOS采用的是侧向结构，其中沟道和漏极位于不同的平面上。这种侧向结构可以减少电阻和电容，提高功率器件的性能。 制造工艺：平面MOS和CoolMOS使用的是传统的硅工艺，包括湿法氧化、光刻、离子注入等步骤。而SiC MOS使用的是碳化硅工艺，其中包括碳化硅的薄膜生长、光刻、金属沉积等步骤。碳化硅工艺相对于硅工艺更加复杂和成本较高。 性能优势：由于碳化硅具有更高的电子迁移率和击穿电场强度，SiC MOS具有更低的导通和开关损耗，更高的开关频率和更高的工作温度能力。这使得SiC MOS在高功率和高温应用中具有更好的性能优势。

20ns以内，具体请查阅对应规格书。

①减小栅极引线阻抗，从而减小阻抗上的感应压降 ,抑制栅源极过 压；②采用有源米勒箝位技术，泄放位移电流，有效保护SiC MOSFET模块；③通过三级关断串扰抑制技术改善栅极驱动波形，有效 抑制过大的电压正向拾升和负向电压

碳化硅MOS由于其优异的电性能，被广泛应用于电动汽车、太阳能逆变器、工业电力电子、高速充电器和高温应用等领域，以提高系统的效率、性能和可靠性。

RT典型值4V以下，NTC特性。

是的，碳化硅（SiC）器件也有N型和P型两类。与硅器件类似，N型和P型碳化硅器件的区别在于其材料的掺杂类型。 在碳化硅器件中，N型器件通常更为普遍，因为N型碳化硅材料的制备相对容易，并且具有较高的电子迁移率。N型碳化硅器件通常用于功率开关和高频应用，如SiC MOSFET和SiC JFET等。 相比之下，P型碳化硅器件的制备相对较困难，因为P型碳化硅材料的制备需要更复杂的工艺和更高的温度。因此，P型碳化硅器件相对较少见。然而，随着碳化硅技术的发展，P型碳化硅器件的研究和制造正在逐渐增加，以满足特定应用的需求。 需要注意的是，尽管N型碳化硅器件更为普遍，但在某些应用中，P型碳化硅器件可能具有特定的优势，例如在某些功率电子应用中的互补对（complementary pair）设计中。因此，具体应用需求和设计要求将决定使用N型还是P型碳化硅器件。

开关速度：碳化硅和氮化镓具有较高的开关速度，能够实现更高的开关频率和更短的开关时间。IGBT的开关速度相对较慢。 温度特性：碳化硅和氮化镓具有较好的高温特性，能够在高温环境下工作。相比之下，IGBT的高温特性相对较差。 成本：碳化硅和氮化镓的制造成本相对较高，而IGBT的制造成本相对较低。 应用领域：碳化硅和氮化镓适用于高功率和高频率应用，如电动汽车、太阳能逆变器、工业电源等。IGBT适用于中功率和中频率应用，如电力电子、电机驱动等。

高压碳化硅（SiC）器件的栅极驱动具有以下特点： 1. 高电压驱动：高压SiC器件通常需要较高的栅极驱动电压，以确保器件能够正常开启和关闭。这是因为SiC器件的栅极电压通常较高，需要足够的电压来充放电栅极电容。 2. 快速开关速度：SiC器件具有较高的迁移率和较短的载流子寿命，因此具有快速的开关速度。栅极驱动电路需要能够提供足够的电流和电压来快速充放电栅极电容，以实现快速的开关操作。 3. 高驱动电流：由于SiC器件的栅极电容较大，栅极驱动电路需要能够提供足够的电流来充放电栅极电容。高驱动电流可以确保快速而可靠的开关操作，并减少开关过程中的功耗和热量产生。 4. 抗干扰能力：高压SiC器件的栅极驱动电路需要具有良好的抗干扰能力，以避免外部噪声和干扰对驱动信号的影响。这可以通过合适的滤波和屏蔽设计来实现。 5. 温度稳定性：高压SiC器件的栅极驱动电路需要具有良好的温度稳定性，以确保在高温环境下仍能提供稳定的驱动信号。这可以通过合适的电路设计和选用温度稳定性较好的元件来实现。 综上所述，高压SiC器件的栅极驱动需要具备高电压驱动、快速开关速度、高驱动电流、抗干扰能力和温度稳定性等特点，以确保器件的正常工作和性能表现。

电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）：碳化硅器件在电动汽车和混合动力汽车中用于功率转换和电动驱动系统。由于碳化硅器件具有高温特性和高功率密度，能够提供更高的效率和更小的尺寸，从而提高电动汽车的续航里程和性能。 太阳能逆变器：碳化硅器件在太阳能逆变器中用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。碳化硅器件具有高效率、高温特性和高频特性，能够提供更高的转换效率和更小的体积。 工业电源：碳化硅器件在工业电源中用于高功率和高频率的开关电源。碳化硅器件能够实现更高的开关频率和更低的开关损耗，提供更高的效率和更小的体积。 高速列车和高速铁路：碳化硅器件在高速列车和高速铁路的牵引系统中用于功率转换和电动驱动。碳化硅器件能够提供更高的功率密度和更高的效率，提高列车的加速性能和能源利用率。 航空航天：碳化硅器件在航空航天领域中用于高温和高功率的应用，如飞机电力系统、航天器推进系统等。碳化硅器件能够在极端的环境条件下工作，并提供高效率和可靠性。

理论上说是这样，但实际还是要根据驱动波形进行调整优化

在一般情况下，碳化硅（SiC）MOSFET的环境温度要求与平面MOS和COOLMOS类似。这些器件通常设计用于在标准工业温度范围内正常运行，即通常为-40°C至+125°C。 然而，由于碳化硅材料具有更高的热稳定性和更高的工作温度能力，SiC MOSFET相对于传统的硅MOSFET和COOLMOS在高温环境下具有更好的性能。SiC MOSFET可以在更高的温度下工作，通常可达到150°C或更高。 这种高温能力使得SiC MOSFET在一些特殊应用中具有优势，例如高温工业控制、电动车辆和航空航天等领域。在这些应用中，SiC MOSFET可以承受更高的环境温度，同时保持稳定的性能和可靠性。 需要注意的是，具体的环境温度要求可能因不同的SiC MOSFET型号和制造商而有所不同。因此，在选择和使用SiC MOSFET时，建议参考其数据手册和制造商的规格说明，以确保在适当的环境温度范围内使用。

宽禁带半导体材料在减小器件尺寸和重量方面具有以下突破： 1. 高功率密度：宽禁带半导体材料具有较高的电子迁移率和击穿电场强度，使得器件可以在更高的电压和电流下工作。这意味着相同功率要求下，宽禁带半导体材料的器件可以更小尺寸，从而实现更高的功率密度。 2. 高频特性：宽禁带半导体材料具有较高的饱和漂移速度和截止频率，使得器件可以在更高的频率下工作。这使得宽禁带半导体材料的器件可以更小尺寸，从而实现更高的频率特性。 3. 高温工作能力：宽禁带半导体材料具有较高的热稳定性和较高的工作温度能力。这使得宽禁带半导体材料的器件可以在更高的温度下工作，而无需额外的散热措施。这减少了器件尺寸和重量。 4. 集成度提高：宽禁带半导体材料的特性使得器件可以更紧凑地集成在芯片上。这意味着更多的功能可以在更小的空间内实现，从而减小了器件的尺寸和重量。 总之，宽禁带半导体材料的高功率密度、高频特性、高温工作能力和高集成度等特点，使得器件可以更小尺寸和更轻量化。这对于许多应用领域，如电动车辆、航空航天、通信设备等，都具有重要意义。

宽禁带半导体材料具有优异的高频性能，这是由于其特殊的电子结构和材料特性所决定的。以下是宽禁带半导体材料的高频性能方面的一些特点： 1. 高饱和漂移速度：宽禁带半导体材料中的载流子具有较高的饱和漂移速度，这意味着它们在电场作用下可以更快地移动。这使得宽禁带半导体材料的器件可以在更高的频率下工作。 2. 高截止频率：宽禁带半导体材料的高饱和漂移速度使得器件的截止频率（cut-off frequency）更高。截止频率是指器件的增益下降到-3dB的频率。宽禁带半导体材料的高截止频率意味着器件可以在更高的频率范围内实现线性放大。 3. 低电容：宽禁带半导体材料的电容较低，这是由于其较高的击穿电场强度和较小的载流子密度所导致的。低电容意味着器件可以更快地响应高频信号，从而实现更高的工作频率。 4. 低损耗：宽禁带半导体材料的低电阻和低电容导致较低的导通和开关损耗。这使得宽禁带半导体材料的器件在高频应用中能够实现更高的效率和更低的功耗。 综上所述，宽禁带半导体材料具有高饱和漂移速度、高截止频率、低电容和低损耗等特点，使得它们在高频应用中具有优异的性能。这使得宽禁带半导体材料在射频通信、雷达系统、高速数据传输等领域具有广泛的应用前景。

使用碳化硅（SiC）MOS管时，有一些需要注意的事项： 1. 驱动电路设计：碳化硅MOS管通常需要较高的栅极驱动电压和电流。因此，在设计驱动电路时，需要确保提供足够的电压和电流来充放电栅极电容，并确保快速而可靠的开关操作。 2. 温度管理：碳化硅MOS管具有较高的工作温度能力，但仍需要适当的温度管理。确保器件在规定的温度范围内工作，避免过热可能导致性能下降或器件损坏。适当的散热设计和温度监测是必要的。 3. 静电放电保护：碳化硅MOS管对静电放电（ESD）非常敏感。在处理和安装器件时，必须采取适当的防静电措施，如穿戴防静电手套、使用防静电工作台等，以避免静电放电对器件造成损害。 4. 输入输出保护：在使用碳化硅MOS管时，需要注意输入和输出的电压和电流范围，以避免超过器件的额定值。适当的输入和输出保护电路可以帮助保护器件免受过电压和过电流的损害。 5. 反向极性保护：在使用碳化硅MOS管时，需要注意极性的正确连接。确保正常工作电压应用在正确的极性上，避免反向极性连接可能导致器件损坏。 6. 规格和数据手册：在使用碳化硅MOS管之前，务必详细阅读器件的规格和数据手册。了解器件的特性、限制和使用条件，以确保正确的使用和性能。 需要注意的是，以上是一般性的注意事项，具体的使用注意事项可能因不同的碳化硅MOS管型号和制造商而有所不同。因此，在使用碳化硅MOS管之前，建议参考其规格和数据手册，并遵循制造商的建议和指导。

电路布局和设计，使用绕组和屏蔽，添加补偿电路等等，抑制寄生电感和寄生电容的谐振是一个复杂的问题，需要综合考虑电路设计、元件选择和系统要求等多个因素

在碳化硅（SiC）器件的栅极和源极之间增加双向TVS（Transient Voltage Suppressor）是一种常见的保护措施，用于防止误导通和静电放电等问题。 由于碳化硅器件的栅极电压通常较高，且对静电放电非常敏感，因此在实际应用中，为了保护器件免受过高的电压和电流的损害，常常会在栅极和源极之间添加双向TVS。 双向TVS可以提供双向的电压保护，当栅极电压超过设定的阈值时，TVS会迅速导通，将过电压引导到地或电源线上，以保护器件免受过电压的影响。这有助于防止误导通和静电放电对器件的损坏。 需要注意的是，选择适当的TVS器件时，应根据碳化硅器件的工作电压和电流范围，以及所需的保护电压和电流等参数进行选择。此外，还应确保TVS的响应时间足够快，以确保及时保护器件。 总之，为了防止误导通和静电放电对碳化硅器件的损坏，增加双向TVS是一种常见的保护措施。但具体是否需要使用双向TVS以及其参数的选择，应根据具体的应用需求和器件规格来确定。

安森美最大1700V

安森美半导体（ON Semiconductor）的碳化硅（SiC）MOSFET产品系列中，最高结温（Junction Temperature）通常在175°C至200°C之间。具体的最高结温取决于具体的SiC MOSFET型号和规格。

影响蛮大, 具体请查阅具体型号规格书中--Rdson随温度曲线图.

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）的最小导通电压（VCE(sat)）通常取决于具体的器件型号和制造商。一般来说，IGBT的最小导通电压在0.7V至2.0V之间。

安森美第三代SiC MOS具有高温特性、低导通电阻、高开关速度、低开关损耗和高电压能力等新功能。这些新功能使得SiC MOS在高温、高功率和高频率应用中具有更高的效率、性能和可靠性。

在考虑碳化硅（SiC）器件的降额应用时，以下几个方面需要考虑： 1. 温度管理：在降额应用中，温度管理非常重要。要确保器件在规定的温度范围内工作，避免过热可能导致性能下降或器件损坏。适当的散热设计和温度监测是必要的。 2. 电流和电压限制：在降额应用中，需要考虑器件的额定电流和电压范围。确保应用中的电流和电压不超过器件的额定值，以避免器件的过载和损坏。 3. 保护电路：在降额应用中，可能需要添加额外的保护电路来保护器件免受过电压、过电流和过温度等问题的影响。例如，使用保险丝、过压保护器、过流保护器等来提供额外的保护。 4. 设计余量：在降额应用中，建议在设计中留有一定的余量。例如，选择具有更高额定值的器件，以确保在实际应用中有足够的裕量。 5. 可靠性评估：在降额应用中，需要对器件的可靠性进行评估。这包括考虑器件的寿命、可靠性指标和可靠性测试等方面，以确保器件在降额条件下仍能保持稳定和可靠的性能。 需要注意的是，具体的降额应用可能因不同的SiC器件型号和制造商而有所不同。因此，在考虑降额应用时，建议参考器件的规格书和制造商的建议，以确保正确的使用和性能。

沟道电阻的占比主要有器件工艺决定，与耐压无关。

选择碳化硅（SiC）驱动芯片时，峰值驱动电流的大小通常取决于具体的SiC器件型号和应用需求。一般来说，碳化硅器件的驱动电流要求较高，通常在几十到几百毫安（mA）的范围内。

碳化硅（SiC）MOSFET和硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）都是高功率应用中常用的功率开关器件，它们各自具有以下优势： 碳化硅（SiC）MOSFET的优势： 低导通电阻：SiC MOSFET具有较低的导通电阻，可以实现更低的导通损耗和更高的效率。 高开关速度：SiC MOSFET具有较高的开关速度，可以实现更快的开关操作和更高的工作频率。 高温工作能力：SiC MOSFET具有较高的热稳定性和较高的工作温度能力，可以在更高的温度下工作。 低开关损耗：SiC MOSFET的开关损耗较低，可以实现更高的效率和更低的功耗。 硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）的优势： 高电压能力：IGBT具有较高的耐压能力，可以承受较高的电压。 高饱和电流：IGBT具有较高的饱和电流，可以实现较大的电流承载能力。 低驱动功率：IGBT的驱动电路相对简单，驱动功率较低。 成熟的制造工艺：IGBT是一种成熟的技术，具有广泛的应用和可靠性。