最高可支持MHz级别的驱动频率，但产品设计要考虑的地方很多， EMI和驱动及开关损耗等，不能一味去看频率

相对Si Mosfet，反向恢复电流已经很小了，PCB Layout上可能更需要注意

一般按照JESD22标准下的HTRB/H3TRB/HAST/ESD等都有做

和Si Mosfet一样

SiC MOSFET和IGBT都适用于大功率应用，但是IGBT通常开关频率在40KHz以下，而SiC MOSFET开关频率可以做到一两百KHz可以有效减少磁性元件的体积和成本。

与实际工况下的功率耗散也有关。

开尔文S极主要测驱动时的串扰，功率S极主要测Vds振荡。

有，在规格书上有曲线图的

不可以，性能上还是有差别的。

碳化硅（SiC）器件的常见失效模式包括以下几种： 1. 热失效：由于高温操作或过热导致的器件失效。这可能是由于过高的功率密度、不良的散热设计或环境温度过高等原因引起的。 2. 功率循环失效：在功率循环应用中，由于频繁的开关操作和温度变化，可能导致器件的失效。这可能包括热应力、热膨胀不匹配、热冲击等。 3. 电压应力失效：由于过高的电压应力导致的器件失效。这可能是由于过高的电压峰值、过高的电压斜率或过高的电压变化率等原因引起的。 4. 电流应力失效：由于过高的电流应力导致的器件失效。这可能是由于过高的电流密度、过高的电流峰值或过高的电流变化率等原因引起的。 5. 电热失效：由于电流和热量的相互作用导致的器件失效。这可能是由于过高的电流密度和过高的温度导致的。 6. 电压逆变失效：由于电压逆变或过高的反向电压导致的器件失效。这可能是由于过高的反向电压峰值、过高的反向电压斜率或过高的反向电压变化率等原因引起的。 7. 电磁干扰（EMI）失效：由于电磁干扰引起的器件失效。这可能是由于电磁辐射、电磁感应或电磁耦合等原因引起的。 需要注意的是，具体的失效模式可能因不同的SiC器件类型、应用条件和制造商而有所不同。在使用SiC器件时，建议参考器件的规格书和制造商的建议，以了解具体器件的失效模式和相应的防护措施。

米勒效应（Miller Effect）是指在放大器中，输入和输出之间的电容通过放大器的电压增益而引起的反馈效应。它主要发生在共射放大器或共基放大器等具有电容耦合的放大器电路中。 米勒效应的形成原因是输入电容（通常是栅极-漏极电容Cgd）和放大器的电压增益之间的相互作用。当输入电容被放大器的电压增益放大时，它会产生一个反馈信号，影响放大器的输入和输出特性。

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SIC器件的封装材料与Si器件可能存在一些差异，主要是由于碳化硅（SiC）器件的特殊性质和要求。 在一般的硅（Si）器件中，常用的封装材料包括塑料（如环氧树脂）和陶瓷（如铝氧化物）。这些材料具有良好的绝缘性能和机械强度，适用于一般的低功率和中功率应用。

碳化硅（SiC）的衬底通常是由单晶SiC材料制成。衬底是SIC器件的基础，用于提供晶体结构和支撑层

开关损耗是开关器件本身开关过程中漏源极电压电流交叠产生的不可避免的损耗，外围驱动电路可以尽量减小这个过程产生的损耗。

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NCD57252,NCD57080,NCP51561

选择使用模块化（模组）SiC上下管控制方案可以提供更方便和可靠的解决方案，尤其适用于高功率和高温应用。

要看具体情况，有部分兼容，有部分不兼容

Spice模型仿真来的电热数据有一定参考意义，还需结合实际Layout的寄生参数带来的影响。

要改善碳化硅（SiC）器件的并联均流效果，可以采取以下几种方法： 选择相同参数的器件：确保并联的SiC器件具有相同的参数，如电流和电压等。这有助于确保器件在并联工作时能够均匀分担负载。 热管理：在并联应用中，热管理非常重要。确保器件的温度均匀分布，避免热点集中在某个器件上。可以采用散热片、散热器和风扇等散热措施，以提高热量的分散和散发。 电流均衡电路：使用电流均衡电路来实现并联器件之间的电流均衡。这些电路可以通过调整电流分配来确保每个器件承担相同的负载。 精确的驱动和控制：确保并联器件的驱动和控制信号精确一致。这可以通过使用精确的驱动电路和控制算法来实现。 优化布局和连接：在设计中，优化器件的布局和连接方式，以确保并联器件之间的电流和热量分布均匀。避免长导线和高阻抗连接，以减小电流和热量的不均衡。 反馈和监测：使用反馈和监测电路来实时监测并联器件的电流和温度等参数。这可以帮助及时发现和纠正任何不均衡或故障情况。

无米勒钳位（Miller Clamp）是一种用于抑制MOSFET开关过程中的反馈效应的电路技术。在MOSFET开关过程中，栅极-漏极电容（Cgd）会导致反馈效应，从而影响开关速度和性能。

主要有三种, 1. 垂直结构（Vertical Structure）：在垂直结构中，源极和漏极是沿着晶体的垂直方向排列的。这种结构通常用于高电压应用，可以承受较高的电压。3. 水平结构（Lateral Structure）：在水平结构中，源极和漏极是沿着晶体的水平方向排列的。这种结构通常用于低电压应用，具有较低的导通电阻和较高的开关速度.2. 垂直-水平混合结构（Vertical-Horizontal Hybrid Structure）：这种结构将垂直结构和水平结构相结合，以兼顾高电压和低电阻的要求。在这种结构中，源极和漏极是沿着晶体的垂直方向排列，而栅极则是沿着晶体的水平方向排列。

要降低MOSFET开关时的电磁干扰（EMI）干扰，可以采取以下几种方法： 优化布局：合理布局电路板，尽量减少高频回路的长度和面积，减小回路的环路面积。将高频和低频电路分开布局，减少相互干扰。 使用滤波器：在MOSFET的电源线和信号线上添加适当的滤波器，如电容器、电感器和磁珠等，以抑制高频噪声和EMI干扰。 地线设计：确保良好的地线设计，包括使用大面积的地平面和短而宽的地线，以提供低阻抗的回路路径，减少EMI干扰。 屏蔽和隔离：使用屏蔽罩、金属盖、金属屏蔽壳等来隔离MOSFET和敏感电路，减少EMI的传播和干扰。 选择合适的开关频率：选择适当的开关频率，避免频率与其他系统或设备的频率相互干扰。 使用软开关技术：采用软开关技术，如零电压开关（ZVS）或零电流开关（ZCS），可以减少开关过程中的电压和电流突变，从而减少EMI干扰。 合理选择元件：选择低EMI的MOSFET器件，如具有低导通电阻和低开关噪声的器件，以减少EMI干扰。 符合EMI标准：遵循相关的EMI标准和规范，确保设计符合EMI要求。

SIC米勒平台基于碳化硅（SiC）半导体材料，利用碳化硅器件的优势，如高温特性、高开关速度和低导通电阻等，来提供更高的功率密度、更高的效率和更好的性能。 SIC米勒平台包括多种产品系列，如SIC MOSFET、SIC Schottky二极管和SIC模块等。这些产品广泛应用于电动车辆、太阳能逆变器、工业电源和电动工具等领域，以提供更高效、更可靠的电源解决方案。

在传统工业，医疗等等，也在逐渐渗透

寄生二极管是在IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和碳化硅（SiC）MOSFET中存在的一个特性。它是由于器件内部的PN结构造成的，具有与普通二极管类似的特性。寄生二极管会对器件的性能和应用产生一些影响，具体如下： 续流能力：寄生二极管提供了续流路径，当IGBT或SiC MOSFET关闭时，负载中的电流可以通过寄生二极管继续流动。这对于一些应用中的续流要求是必要的，但也会导致额外的功耗和电压降。 反向恢复时间：当寄生二极管从导通状态切换到截止状态时，会有一个反向恢复时间。这个时间会导致一定的开关损耗和电压尖峰，影响器件的开关速度和效率。 在IGBT和SiC MOSFET之间，寄生二极管的参数也有一些差异： 正向电压降（Forward Voltage Drop）：IGBT的寄生二极管的正向电压降一般较低，通常在1V以下。而SiC MOSFET的寄生二极管的正向电压降一般较高，通常在1.5V至3V之间。 反向恢复时间（Reverse Recovery Time）：IGBT的寄生二极管的反向恢复时间较长，一般在数百纳秒至微秒级别。而SiC MOSFET的寄生二极管的反向恢复时间较短，一般在数十纳秒级别。

这个要具体看实际应用，一般在10-30欧这样

如果对体二极管有较高的性能需求，可以考虑外并SiC二极管

在选择碳化硅（SiC）MOSFET时，主要需要考虑以下几个关键参数： 额定电压（Rated Voltage）：这是MOSFET能够承受的最大工作电压。根据应用需求，选择适当的额定电压范围。 额定电流（Rated Current）：这是MOSFET能够承受的最大工作电流。根据应用需求，选择适当的额定电流范围。 开关速度（Switching Speed）：这是指MOSFET从导通到关断或从关断到导通的切换速度。较快的开关速度可以减少开关损耗，但也会增加开关驱动和开关元件的损耗。根据应用需求，选择适当的开关速度。 导通电阻（On-Resistance）：这是指MOSFET在导通状态下的电阻。较低的导通电阻可以减少导通损耗。根据应用需求，选择适当的导通电阻范围。 关断电阻（Off-Resistance）：这是指MOSFET在关断状态下的电阻。较低的关断电阻可以减少关断损耗。根据应用需求，选择适当的关断电阻范围。 温度特性（Temperature Characteristics）：这是指MOSFET在不同温度下的性能表现。考虑到应用环境的温度范围，选择具有良好温度特性的MOSFET。 可靠性（Reliability）：这是指MOSFET的长期稳定性和可靠性。考虑到应用的要求和寿命预期，选择具有良好可靠性的MOSFET。 除了上述关键参数，还需要考虑其他因素，如成本、封装类型、供应商可靠性等。根据具体应用需求，综合考虑这些参数，选择适合的碳化硅MOSFET。

不建议，当然，以双脉冲电路实测数据为准。

尽管碳化硅（SiC）器件具有许多优点，但也存在一些性能短板，包括以下几个方面： 制造成本：与传统的硅（Si）器件相比，碳化硅器件的制造成本较高。这主要是由于碳化硅材料的制备和加工技术相对复杂，以及生产规模相对较小所致。 制造工艺：碳化硅器件的制造工艺相对复杂，需要更高的工艺控制和更严格的制造条件。这可能导致制造过程的复杂性和成本的增加。 可靠性：尽管碳化硅器件具有高温稳定性和高电压能力，但在一些特定应用中，如高辐射环境下，碳化硅器件的可靠性可能会受到影响。此外，由于碳化硅材料的特殊性质，一些特定的可靠性问题，如漏电流增加和界面状态密度增加等，也需要得到更多的研究和解决。 封装技术：碳化硅器件的封装技术相对较新，尚处于发展阶段。与传统的硅器件相比，碳化硅器件的封装技术需要更高的温度和功率密度能力，以满足其高性能要求。因此，碳化硅器件的封装技术仍然面临一些挑战。

常见的可靠性测试有H3TRB等，按照规格书驱动电压的推荐值，实测电热应力参考具体器件的可靠性测试报告。

驱动电路：由于碳化硅MOSFET通常需要较大的驱动电流，因此需要确保驱动电路能够提供足够的电流来驱动碳化硅MOSFET。可能需要对驱动电路进行调整或增加驱动器来满足碳化硅MOSFET的驱动需求。 开关速度：碳化硅MOSFET具有较高的开关速度，可能需要对电路进行优化，以确保电路能够适应更快的开关速度。这可能涉及到电感、电容和电阻等元件的选择和调整。 热管理：碳化硅MOSFET具有较好的高温特性，但也会产生较高的功耗。因此，需要对电路的热管理进行评估和优化，以确保器件能够在高温环境下正常工作，并避免过热问题。 电源和保护电路：由于碳化硅MOSFET具有较低的导通电阻和较高的开关速度，可能需要对电源和保护电路进行调整，以确保电路能够提供足够的电流和保护器件免受过电流、过压等问题的影响。 PCB设计：碳化硅MOSFET的高频特性和高功率密度可能对PCB设计产生影响。可能需要考虑更好的散热设计、更短的导线长度、更好的电源布局等，以减少电路中的电感和电容等对性能的影响。

直播内容中有具体功率拓扑下的效率和损耗对比。

密勒平台（Miller platform）是一种用于分析和设计放大器的工具，特别是用于分析共源极放大器（common source amplifier）的频率响应。它是由美国电气工程师John M. Miller在1948年提出的。 密勒平台实质上是将放大器的输入电容和输出电容转换为等效电容，从而简化频率响应的分析。它基于以下两个假设： 1. 输入电容和输出电容可以被等效为一个电容，称为密勒电容（Miller capacitance）。 2. 密勒电容与放大器的电压增益之间存在一个比例关系。 通过将输入电容和输出电容等效为密勒电容，可以将放大器的频率响应转化为一个简单的电路，其中只包含一个等效电容和放大器的增益。这样，可以更容易地分析和设计放大器的频率特性。 密勒平台在放大器设计中具有重要的应用，特别是在高频放大器的设计中。它可以帮助工程师更好地理解和优化放大器的频率响应，以满足特定的性能要求。

目前电流20A以上其实都可以考虑用SiC替换

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我这边有四个硬并的

材料：碳化硅MOSFET使用碳化硅作为半导体材料，而硅MOSFET使用硅作为半导体材料。碳化硅具有较高的电子迁移速度和热导率，以及较低的导通电阻，使得碳化硅MOSFET具有更好的高温特性和功率密度。 结构：碳化硅MOSFET的结构与硅MOSFET有一些差异。碳化硅MOSFET通常采用垂直结构，其中包括垂直通道和垂直漏极。这种结构可以实现更低的导通电阻和更高的功率密度。而硅MOSFET通常采用水平结构，其中包括水平通道和水平漏极。 栅极结构：碳化硅MOSFET的栅极结构通常需要较高的栅极电流来实现快速的开关速度和低导通电阻。相比之下，硅MOSFET的栅极结构通常需要较低的栅极电流。 特性：由于碳化硅材料的特性，碳化硅MOSFET具有较高的开关速度、较低的导通电阻和较好的高温特性。而硅MOSFET则具有较低的制造成本和较好的低温特性。

不建议使用7V作为开通电压，7V大致处在米勒电压平台处，Rds(on)范围波动很大，极易造成器件热应力损坏！

栅极电压范围通常是在20V至30V之间

是的，一般情况下，碳化硅（SiC）MOSFET的驱动电流要比普通的硅（Si）MOSFET大。这是由于碳化硅MOSFET的栅极结构和材料特性导致的。 碳化硅MOSFET的栅极结构通常需要较高的栅极电流来实现快速的开关速度和低导通电阻。相比之下，普通的硅MOSFET通常需要较低的栅极电流。 此外，由于碳化硅材料的特性，碳化硅MOSFET的栅极电容较大，需要更大的电流来充放电，以确保快速的开关速度。 因此，在设计和应用中，驱动碳化硅MOSFET通常需要更大的驱动电流，以确保器件的正常工作和性能。 需要注意的是，具体的驱动电流要求取决于碳化硅MOSFET的型号、尺寸和工作条件等因素。在选择和使用碳化硅MOSFET时，建议参考其数据手册和规格表，以获取准确的驱动电流要求和其他电性能参数。

SiC MOSFET的热稳定性和长期可靠性如何保证？

SIC MOS主要使用在大功率产品，建议使用负压

驱动电压：碳化硅器件通常需要较高的驱动电压，一般在15V至20V之间，以确保充分的开启和关闭。而IGBT通常需要较低的驱动电压，一般在10V以下。 驱动电流：碳化硅器件通常需要较大的驱动电流，以实现快速的开关速度和低导通电阻。而IGBT通常需要较低的驱动电流。 开关速度：碳化硅器件具有较高的开关速度，可以实现更高的开关频率和更小的开关损耗。而IGBT的开关速度相对较慢，适用于低频应用。 热管理：由于碳化硅器件具有较高的功率密度，需要更好的热管理措施来确保器件在高温环境下正常工作。而IGBT的热管理相对较简单。 应用领域：碳化硅器件适用于高功率和高温应用，如电动车辆、太阳能逆变器和工业电源等。而IGBT适用于中功率和低频应用，如电力电子、电机驱动和UPS等。

以45KW DC-DC功率模块PSFB+SR100V输出来看，PSFB使用IGBT方案整体功率在93%，使用SiC MOSFET整体功率会提升到97%

主要是正向电压降,电流大小,反向漏电流,反向耐压

此处直播正在讲。

从长远来看，碳化硅（SiC）器件有潜力替代部分应用中的晶体管（IGBT），尤其是在高功率、高频率和高温应用中

碳化硅（SiC）MOSFET在降低系统成本方面具有以下潜在优势： 尺寸和重量减少：SiC MOSFET具有更高的功率密度和更高的开关频率，相比传统的硅功率器件，可以实现更小、更轻的系统设计。这可以减少材料成本和运输成本。 散热要求降低：由于SiC MOSFET具有更低的导通和开关损耗，相对于传统硅功率器件，它们产生的热量较少。这意味着系统可以采用更简单、更便宜的散热解决方案，从而降低散热成本。 提高效率：SiC MOSFET具有更低的导通和开关损耗，可以实现更高的转换效率。这意味着系统可以更有效地利用能源，减少能源消耗和运行成本。 减少冷却需求：由于SiC MOSFET的高效率和低损耗特性，系统的冷却需求可以降低。这可以减少冷却设备的数量和成本。 增加系统可靠性：SiC MOSFET具有更高的温度耐受能力和更低的故障率，可以提高系统的可靠性和寿命。这可以减少维护和更换部件的成本。

TO247-3/-4、TO263-7、PBAK(顶部散热)

不用计算，在规格书上一般有写明体内二极管的参数的

使用光隔离探头。

电路需要续流，且没有提二极管集成在内部，就需要并联二极管

不一定，有些是，有些不是，具体要看规格书上有写明

在大电流和高电压下，SiC MOSFET可以通过以下方式来保持稳定的性能： 散热设计：大电流和高电压会产生较大的功率损耗和热量。因此，系统需要进行有效的散热设计，以确保SiC MOSFET的温度在可接受范围内。这可以包括使用散热器、风扇或液冷系统等散热解决方案。 电源设计：在大电流和高电压下，电源系统需要提供稳定的电压和电流。这可以通过合适的电源设计、滤波和稳压控制来实现，以确保SiC MOSFET获得稳定的电源供应。 适当的驱动电路：SiC MOSFET需要适当的驱动电路来确保快速而可靠的开关操作。驱动电路应能够提供足够的电流和电压来充放电门极电容，并确保适当的上升和下降时间。这有助于减少开关过程中的功耗和热量产生。 热管理：除了散热设计外，还可以采用其他热管理技术来降低温度。例如，可以使用热传导材料来提高散热效率，或者采用热管、热沉等技术来分散和吸收热量。 保护电路：为了保护SiC MOSFET免受过电流、过电压和过温等异常情况的影响，可以使用适当的保护电路。这些保护电路可以监测和控制SiC MOSFET的工作状态，以确保其在安全范围内运行。

测试方法一：常规方法是使用示波器和电压探头来测量IGBT的饱和压降。将示波器的探头连接到IGBT的集电极和发射极之间，以测量饱和压降。在测试过程中，逐渐增加IGBT的基极电流，观察饱和压降的变化。 测试方法二：另一种方法是使用专用的IGBT测试仪器，如IGBT测试台或IGBT测试夹具。这些仪器通常具有内置的电流和电压测量功能，可以更方便地测试IGBT的饱和压降

提高开关频率，优化Layout，热仿真。

当然是碳化硅，这是SiC 的特性优点

碳化硅（SiC）MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）的生产工艺与平面MOS和CoolMOS有一些区别。以下是它们之间的主要区别： 材料：平面MOS和CoolMOS使用的是硅（Si）作为半导体材料，而SiC MOS使用的是碳化硅（SiC）作为半导体材料。碳化硅具有更高的电子迁移率和更高的击穿电场强度，使得SiC MOS具有更好的功率处理能力和更高的工作温度。 设计结构：平面MOS和CoolMOS采用传统的垂直结构，其中沟道和漏极位于同一平面上。而SiC MOS采用的是侧向结构，其中沟道和漏极位于不同的平面上。这种侧向结构可以减少电阻和电容，提高功率器件的性能。 制造工艺：平面MOS和CoolMOS使用的是传统的硅工艺，包括湿法氧化、光刻、离子注入等步骤。而SiC MOS使用的是碳化硅工艺，其中包括碳化硅的薄膜生长、光刻、金属沉积等步骤。碳化硅工艺相对于硅工艺更加复杂和成本较高。 性能优势：由于碳化硅具有更高的电子迁移率和击穿电场强度，SiC MOS具有更低的导通和开关损耗，更高的开关频率和更高的工作温度能力。这使得SiC MOS在高功率和高温应用中具有更好的性能优势。

20ns以内，具体请查阅对应规格书。

①减小栅极引线阻抗，从而减小阻抗上的感应压降 ,抑制栅源极过 压；②采用有源米勒箝位技术，泄放位移电流，有效保护SiC MOSFET模块；③通过三级关断串扰抑制技术改善栅极驱动波形，有效 抑制过大的电压正向拾升和负向电压

碳化硅MOS由于其优异的电性能，被广泛应用于电动汽车、太阳能逆变器、工业电力电子、高速充电器和高温应用等领域，以提高系统的效率、性能和可靠性。

RT典型值4V以下，NTC特性。

是的，碳化硅（SiC）器件也有N型和P型两类。与硅器件类似，N型和P型碳化硅器件的区别在于其材料的掺杂类型。 在碳化硅器件中，N型器件通常更为普遍，因为N型碳化硅材料的制备相对容易，并且具有较高的电子迁移率。N型碳化硅器件通常用于功率开关和高频应用，如SiC MOSFET和SiC JFET等。 相比之下，P型碳化硅器件的制备相对较困难，因为P型碳化硅材料的制备需要更复杂的工艺和更高的温度。因此，P型碳化硅器件相对较少见。然而，随着碳化硅技术的发展，P型碳化硅器件的研究和制造正在逐渐增加，以满足特定应用的需求。 需要注意的是，尽管N型碳化硅器件更为普遍，但在某些应用中，P型碳化硅器件可能具有特定的优势，例如在某些功率电子应用中的互补对（complementary pair）设计中。因此，具体应用需求和设计要求将决定使用N型还是P型碳化硅器件。

开关速度：碳化硅和氮化镓具有较高的开关速度，能够实现更高的开关频率和更短的开关时间。IGBT的开关速度相对较慢。 温度特性：碳化硅和氮化镓具有较好的高温特性，能够在高温环境下工作。相比之下，IGBT的高温特性相对较差。 成本：碳化硅和氮化镓的制造成本相对较高，而IGBT的制造成本相对较低。 应用领域：碳化硅和氮化镓适用于高功率和高频率应用，如电动汽车、太阳能逆变器、工业电源等。IGBT适用于中功率和中频率应用，如电力电子、电机驱动等。

高压碳化硅（SiC）器件的栅极驱动具有以下特点： 1. 高电压驱动：高压SiC器件通常需要较高的栅极驱动电压，以确保器件能够正常开启和关闭。这是因为SiC器件的栅极电压通常较高，需要足够的电压来充放电栅极电容。 2. 快速开关速度：SiC器件具有较高的迁移率和较短的载流子寿命，因此具有快速的开关速度。栅极驱动电路需要能够提供足够的电流和电压来快速充放电栅极电容，以实现快速的开关操作。 3. 高驱动电流：由于SiC器件的栅极电容较大，栅极驱动电路需要能够提供足够的电流来充放电栅极电容。高驱动电流可以确保快速而可靠的开关操作，并减少开关过程中的功耗和热量产生。 4. 抗干扰能力：高压SiC器件的栅极驱动电路需要具有良好的抗干扰能力，以避免外部噪声和干扰对驱动信号的影响。这可以通过合适的滤波和屏蔽设计来实现。 5. 温度稳定性：高压SiC器件的栅极驱动电路需要具有良好的温度稳定性，以确保在高温环境下仍能提供稳定的驱动信号。这可以通过合适的电路设计和选用温度稳定性较好的元件来实现。 综上所述，高压SiC器件的栅极驱动需要具备高电压驱动、快速开关速度、高驱动电流、抗干扰能力和温度稳定性等特点，以确保器件的正常工作和性能表现。

电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）：碳化硅器件在电动汽车和混合动力汽车中用于功率转换和电动驱动系统。由于碳化硅器件具有高温特性和高功率密度，能够提供更高的效率和更小的尺寸，从而提高电动汽车的续航里程和性能。 太阳能逆变器：碳化硅器件在太阳能逆变器中用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。碳化硅器件具有高效率、高温特性和高频特性，能够提供更高的转换效率和更小的体积。 工业电源：碳化硅器件在工业电源中用于高功率和高频率的开关电源。碳化硅器件能够实现更高的开关频率和更低的开关损耗，提供更高的效率和更小的体积。 高速列车和高速铁路：碳化硅器件在高速列车和高速铁路的牵引系统中用于功率转换和电动驱动。碳化硅器件能够提供更高的功率密度和更高的效率，提高列车的加速性能和能源利用率。 航空航天：碳化硅器件在航空航天领域中用于高温和高功率的应用，如飞机电力系统、航天器推进系统等。碳化硅器件能够在极端的环境条件下工作，并提供高效率和可靠性。

理论上说是这样，但实际还是要根据驱动波形进行调整优化

在一般情况下，碳化硅（SiC）MOSFET的环境温度要求与平面MOS和COOLMOS类似。这些器件通常设计用于在标准工业温度范围内正常运行，即通常为-40°C至+125°C。 然而，由于碳化硅材料具有更高的热稳定性和更高的工作温度能力，SiC MOSFET相对于传统的硅MOSFET和COOLMOS在高温环境下具有更好的性能。SiC MOSFET可以在更高的温度下工作，通常可达到150°C或更高。 这种高温能力使得SiC MOSFET在一些特殊应用中具有优势，例如高温工业控制、电动车辆和航空航天等领域。在这些应用中，SiC MOSFET可以承受更高的环境温度，同时保持稳定的性能和可靠性。 需要注意的是，具体的环境温度要求可能因不同的SiC MOSFET型号和制造商而有所不同。因此，在选择和使用SiC MOSFET时，建议参考其数据手册和制造商的规格说明，以确保在适当的环境温度范围内使用。

宽禁带半导体材料在减小器件尺寸和重量方面具有以下突破： 1. 高功率密度：宽禁带半导体材料具有较高的电子迁移率和击穿电场强度，使得器件可以在更高的电压和电流下工作。这意味着相同功率要求下，宽禁带半导体材料的器件可以更小尺寸，从而实现更高的功率密度。 2. 高频特性：宽禁带半导体材料具有较高的饱和漂移速度和截止频率，使得器件可以在更高的频率下工作。这使得宽禁带半导体材料的器件可以更小尺寸，从而实现更高的频率特性。 3. 高温工作能力：宽禁带半导体材料具有较高的热稳定性和较高的工作温度能力。这使得宽禁带半导体材料的器件可以在更高的温度下工作，而无需额外的散热措施。这减少了器件尺寸和重量。 4. 集成度提高：宽禁带半导体材料的特性使得器件可以更紧凑地集成在芯片上。这意味着更多的功能可以在更小的空间内实现，从而减小了器件的尺寸和重量。 总之，宽禁带半导体材料的高功率密度、高频特性、高温工作能力和高集成度等特点，使得器件可以更小尺寸和更轻量化。这对于许多应用领域，如电动车辆、航空航天、通信设备等，都具有重要意义。

宽禁带半导体材料具有优异的高频性能，这是由于其特殊的电子结构和材料特性所决定的。以下是宽禁带半导体材料的高频性能方面的一些特点： 1. 高饱和漂移速度：宽禁带半导体材料中的载流子具有较高的饱和漂移速度，这意味着它们在电场作用下可以更快地移动。这使得宽禁带半导体材料的器件可以在更高的频率下工作。 2. 高截止频率：宽禁带半导体材料的高饱和漂移速度使得器件的截止频率（cut-off frequency）更高。截止频率是指器件的增益下降到-3dB的频率。宽禁带半导体材料的高截止频率意味着器件可以在更高的频率范围内实现线性放大。 3. 低电容：宽禁带半导体材料的电容较低，这是由于其较高的击穿电场强度和较小的载流子密度所导致的。低电容意味着器件可以更快地响应高频信号，从而实现更高的工作频率。 4. 低损耗：宽禁带半导体材料的低电阻和低电容导致较低的导通和开关损耗。这使得宽禁带半导体材料的器件在高频应用中能够实现更高的效率和更低的功耗。 综上所述，宽禁带半导体材料具有高饱和漂移速度、高截止频率、低电容和低损耗等特点，使得它们在高频应用中具有优异的性能。这使得宽禁带半导体材料在射频通信、雷达系统、高速数据传输等领域具有广泛的应用前景。

使用碳化硅（SiC）MOS管时，有一些需要注意的事项： 1. 驱动电路设计：碳化硅MOS管通常需要较高的栅极驱动电压和电流。因此，在设计驱动电路时，需要确保提供足够的电压和电流来充放电栅极电容，并确保快速而可靠的开关操作。 2. 温度管理：碳化硅MOS管具有较高的工作温度能力，但仍需要适当的温度管理。确保器件在规定的温度范围内工作，避免过热可能导致性能下降或器件损坏。适当的散热设计和温度监测是必要的。 3. 静电放电保护：碳化硅MOS管对静电放电（ESD）非常敏感。在处理和安装器件时，必须采取适当的防静电措施，如穿戴防静电手套、使用防静电工作台等，以避免静电放电对器件造成损害。 4. 输入输出保护：在使用碳化硅MOS管时，需要注意输入和输出的电压和电流范围，以避免超过器件的额定值。适当的输入和输出保护电路可以帮助保护器件免受过电压和过电流的损害。 5. 反向极性保护：在使用碳化硅MOS管时，需要注意极性的正确连接。确保正常工作电压应用在正确的极性上，避免反向极性连接可能导致器件损坏。 6. 规格和数据手册：在使用碳化硅MOS管之前，务必详细阅读器件的规格和数据手册。了解器件的特性、限制和使用条件，以确保正确的使用和性能。 需要注意的是，以上是一般性的注意事项，具体的使用注意事项可能因不同的碳化硅MOS管型号和制造商而有所不同。因此，在使用碳化硅MOS管之前，建议参考其规格和数据手册，并遵循制造商的建议和指导。

电路布局和设计，使用绕组和屏蔽，添加补偿电路等等，抑制寄生电感和寄生电容的谐振是一个复杂的问题，需要综合考虑电路设计、元件选择和系统要求等多个因素

在碳化硅（SiC）器件的栅极和源极之间增加双向TVS（Transient Voltage Suppressor）是一种常见的保护措施，用于防止误导通和静电放电等问题。 由于碳化硅器件的栅极电压通常较高，且对静电放电非常敏感，因此在实际应用中，为了保护器件免受过高的电压和电流的损害，常常会在栅极和源极之间添加双向TVS。 双向TVS可以提供双向的电压保护，当栅极电压超过设定的阈值时，TVS会迅速导通，将过电压引导到地或电源线上，以保护器件免受过电压的影响。这有助于防止误导通和静电放电对器件的损坏。 需要注意的是，选择适当的TVS器件时，应根据碳化硅器件的工作电压和电流范围，以及所需的保护电压和电流等参数进行选择。此外，还应确保TVS的响应时间足够快，以确保及时保护器件。 总之，为了防止误导通和静电放电对碳化硅器件的损坏，增加双向TVS是一种常见的保护措施。但具体是否需要使用双向TVS以及其参数的选择，应根据具体的应用需求和器件规格来确定。

安森美最大1700V

安森美半导体（ON Semiconductor）的碳化硅（SiC）MOSFET产品系列中，最高结温（Junction Temperature）通常在175°C至200°C之间。具体的最高结温取决于具体的SiC MOSFET型号和规格。

影响蛮大, 具体请查阅具体型号规格书中--Rdson随温度曲线图.

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）的最小导通电压（VCE(sat)）通常取决于具体的器件型号和制造商。一般来说，IGBT的最小导通电压在0.7V至2.0V之间。

安森美第三代SiC MOS具有高温特性、低导通电阻、高开关速度、低开关损耗和高电压能力等新功能。这些新功能使得SiC MOS在高温、高功率和高频率应用中具有更高的效率、性能和可靠性。

在考虑碳化硅（SiC）器件的降额应用时，以下几个方面需要考虑： 1. 温度管理：在降额应用中，温度管理非常重要。要确保器件在规定的温度范围内工作，避免过热可能导致性能下降或器件损坏。适当的散热设计和温度监测是必要的。 2. 电流和电压限制：在降额应用中，需要考虑器件的额定电流和电压范围。确保应用中的电流和电压不超过器件的额定值，以避免器件的过载和损坏。 3. 保护电路：在降额应用中，可能需要添加额外的保护电路来保护器件免受过电压、过电流和过温度等问题的影响。例如，使用保险丝、过压保护器、过流保护器等来提供额外的保护。 4. 设计余量：在降额应用中，建议在设计中留有一定的余量。例如，选择具有更高额定值的器件，以确保在实际应用中有足够的裕量。 5. 可靠性评估：在降额应用中，需要对器件的可靠性进行评估。这包括考虑器件的寿命、可靠性指标和可靠性测试等方面，以确保器件在降额条件下仍能保持稳定和可靠的性能。 需要注意的是，具体的降额应用可能因不同的SiC器件型号和制造商而有所不同。因此，在考虑降额应用时，建议参考器件的规格书和制造商的建议，以确保正确的使用和性能。

沟道电阻的占比主要有器件工艺决定，与耐压无关。

选择碳化硅（SiC）驱动芯片时，峰值驱动电流的大小通常取决于具体的SiC器件型号和应用需求。一般来说，碳化硅器件的驱动电流要求较高，通常在几十到几百毫安（mA）的范围内。

碳化硅（SiC）MOSFET和硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）都是高功率应用中常用的功率开关器件，它们各自具有以下优势： 碳化硅（SiC）MOSFET的优势： 低导通电阻：SiC MOSFET具有较低的导通电阻，可以实现更低的导通损耗和更高的效率。 高开关速度：SiC MOSFET具有较高的开关速度，可以实现更快的开关操作和更高的工作频率。 高温工作能力：SiC MOSFET具有较高的热稳定性和较高的工作温度能力，可以在更高的温度下工作。 低开关损耗：SiC MOSFET的开关损耗较低，可以实现更高的效率和更低的功耗。 硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）的优势： 高电压能力：IGBT具有较高的耐压能力，可以承受较高的电压。 高饱和电流：IGBT具有较高的饱和电流，可以实现较大的电流承载能力。 低驱动功率：IGBT的驱动电路相对简单，驱动功率较低。 成熟的制造工艺：IGBT是一种成熟的技术，具有广泛的应用和可靠性。

宽禁带半导体（如碳化硅和氮化镓）相比硅基材料在以下几个方面具有显著优势： 高温特性：宽禁带半导体具有较好的高温特性，可以在更高的温度下工作。相比之下，硅基材料的工作温度通常受到限制。这使得宽禁带半导体在高温环境下具有更好的性能和可靠性。 高电压特性：宽禁带半导体具有较高的击穿电场强度和较高的耐压能力。相比之下，硅基材料的耐压能力较低。这使得宽禁带半导体适用于高压应用，如电力转换和电动车辆。 高频特性：宽禁带半导体具有较高的电子迁移率和较高的饱和漂移速度，使其在高频应用中具有更好的性能。这使得宽禁带半导体在射频功率放大器、高速开关和高频电子器件等领域具有广泛应用。 低导通和开关损耗：由于宽禁带半导体的特性，其导通和开关损耗较低。这使得宽禁带半导体器件在高功率应用中具有更高的效率和更小的体积。 尺寸和重量：由于宽禁带半导体器件具有较高的功率密度，相同功率下的器件尺寸更小，重量更轻。这使得宽禁带半导体在应用中可以实现更紧凑的设计和更高的能量密度。 需要注意的是，宽禁带半导体相对于硅基材料也存在一些挑战，如制造成本较高、驱动电路设计复杂等。但随着技术的进步和市场需求的增加，宽禁带半导体在高温、高压

有

会，越小，效率越高

要增强碳化硅（SiC）晶圆的寿命，可以采取以下措施： 控制晶圆生长过程：在碳化硅晶圆的生长过程中，控制温度、压力和气氛等参数，以确保晶圆的质量和纯度。优化生长过程可以减少晶圆中的缺陷和杂质，提高晶圆的质量和寿命。 优化晶圆加工工艺：在晶圆加工过程中，采用适当的工艺和设备，以减少机械应力和热应力对晶圆的影响。避免过度加工和过高的温度，以防止晶圆的破裂和损伤。 控制环境条件：在晶圆的存储和使用过程中，控制环境条件，如温度、湿度和气氛等。避免暴露在过高的温度、湿度或腐蚀性气体中，以防止晶圆的氧化、腐蚀和损伤。 适当的封装和保护：在使用碳化硅晶圆的器件中，采用适当的封装和保护措施，以防止晶圆的物理损伤和环境侵蚀。选择合适的封装材料和技术，以提供良好的机械保护和环境隔离。 定期检测和维护：定期检测碳化硅晶圆的质量和性能，包括表面状态、晶格缺陷和电特性等。根据检测结果，采取适当的维护和修复措施，以延长晶圆的寿命和性能。 需要注意的是，碳化硅晶圆的寿命受到多种因素的影响，如材料质量、加工工艺、环境条件和使用方式等。因此，在增强碳化硅晶圆的寿命时，需要综合考虑这些因素，并采取适当的措施来保护和维护晶圆的质量和性能。

Pspice、LTspice仿真模型均有提供。

给Geat 脚加一个导通电压，使用仪器测量

BPAK ( Top Cool SMD PKG )，顶部散热封装

碳化硅（SiC）的导通阻抗与工作温度之间存在一定的关系。一般来说，随着温度的升高，碳化硅的导通阻抗会略微增加。这是由于以下几个因素的影响： 1. 温度对电子迁移率的影响：在高温下，碳化硅的电子迁移率会略微降低。电子迁移率是电流在材料中传输的速度，较低的电子迁移率会导致导通阻抗的增加。 2. 温度对材料电阻的影响：碳化硅的电阻随温度的升高而略微增加。这也会导致导通阻抗的增加。 3. 热效应：在高功率应用中，碳化硅MOSFET会产生一定的热量。高温会导致器件内部温度升高，进而影响导通阻抗。 需要注意的是，碳化硅的导通阻抗与温度的关系相对较小，尤其是在高温范围内。相比之下，传统硅（Si）器件的导通阻抗通常会更大程度地受到温度的影响。 在实际应用中，为了准确评估碳化硅器件的导通阻抗与工作温度之间的关系，可以参考器件的数据手册和温度特性曲线。这些曲线通常提供了在不同温度下的导通阻抗值，以帮助工程师进行系统设计和性能评估。

4引脚（4-pin）和3引脚（3-pin）TO-247封装的碳化硅（SiC）MOSFET相比，4引脚封装通常优化了以下功能参数：

铁

是的，相比于硅（Si）MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET通常具有较低的米勒电容。 米勒电容是指栅极-漏极电容（Cgd）和栅极-源极电容（Cgs）之间的电容。它会影响到MOSFET的开关速度和功耗。

https://www.onsemi.com/products/discrete-power-modules/power-modules/silicon-carbide-sic-modules?code=TdCKgWtb&scope=&state=62e5ef2c46454564a102f1b97e85e033#products=fnN0YXR1c352YWx1ZX4xfiF+TGlmZXRpbWV+

碳化硅（SiC）MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的基本结构包括以下几个部分： 衬底：作为MOSFET的基底，提供机械支撑和电性支撑。 溅射层：位于碳化硅衬底上，用于形成MOSFET的源极和漏极接触。 氧化层：位于碳化硅衬底上，用于形成MOSFET的栅极绝缘层。 栅极：位于氧化层上，用于控制MOSFET的导电性。 溅射层和栅极之间的沟道区：位于碳化硅衬底上，栅极施加电压时，控制沟道区的导电性。 漏极：位于碳化硅衬底上，用于收集电流。 MOSFET的工作原理是通过栅极电压控制沟道区的导电性，从而控制漏极和源极之间的电流流动。当栅极电压高于阈值电压时，沟道区形成导电通道，电流可以从源极流向漏极；当栅极电压低于阈值电压时，沟道区断开，电流无法流动。 碳化硅（SiC）MOSFET相比传统的硅（Si）MOSFET具有更高的电子迁移率和更高的击穿电场强度，因此具有更低的导通和关断损耗，更高的开关速度和更高的工作温度能力。这使得SiC MOSFET在高性能功率电子应用中具有广泛的应用前景。

从长远来看，随着SiC的成熟与推广，最终会在大部分领域替代IGBT

目前量产的都是平面栅的, 沟槽的尚在研发中.

要测量IGBT的反向耐压（Reverse Voltage, VRRM），可以采用以下步骤： 1. 准备测试设备：需要准备一个适当的测试设备，如数字万用表或示波器。 2. 连接测试电路：将IGBT的阳极（Anode）连接到正极，将阴极（Cathode）连接到负极。确保连接正确，以避免损坏IGBT。 3. 施加反向电压：逐步增加反向电压，直到达到IGBT的额定反向耐压（VRRM）。可以使用电源或信号发生器来提供逐渐增加的反向电压。 4. 监测电压：使用数字万用表或示波器测量IGBT的反向电压。确保测量设备的量程足够大，以适应IGBT的额定反向耐压。 5. 观察和记录：观察IGBT的反向电压是否稳定，并记录达到的最大反向电压值。 需要注意的是，测量IGBT的反向耐压时需要小心操作，以避免对设备和人员造成损害。在进行测试之前，建议参考IGBT的规格书和制造商的建议，了解正确的测试方法和注意事项。

目前应用的是工业类和汽车类居多，EVC也是一个比较常见的应用

是的，碳化硅（SiC）器件内部集成的二极管可以用于续流（freewheeling）应用。碳化硅MOSFET通常具有内部集成的反并联二极管，用于提供续流路径。

不会，SiC 只在高压有优势，比如40V 和80V的Si 都是不可替代的

IGBT是负温度系数器件，其导通能力随温度升高而增强。

有的

是的，一般情况下，碳化硅（SiC）器件的导通阻抗会随着工作温度的升高而增大。这是由于碳化硅的材料特性导致的。

功率要具体看应用的，耐压目前最大1700V，后面出2000V

不一定的，要看整个应用的设计，100K也是比较常见的，但是不是所有的应用中都用１００Ｋ　

TO247 4脚和3脚，D2PAD 都有

安森美碳化硅（Analog Devices）生产的碳化硅MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）有多种封装选项，具体取决于具体的产品型号和应用需求。以下是一些常见的封装类型： TO-247：这是一种大型封装，具有三个引脚，适用于高功率应用。 TO-220：这是一种中等尺寸的封装，具有三个引脚，适用于中功率应用。 D2PAK（TO-263）：这是一种表面贴装封装，具有三个引脚，适用于中功率应用。 SOIC（Small Outline Integrated Circuit）：这是一种小型封装，具有表面贴装引脚，适用于低功率应用。 SOT-23：这是一种微型封装，具有表面贴装引脚，适用于低功率应用。

有的，目前有个位数毫欧级别的。

一代 和二代，和7代不一样，目前也有IGBT 能做到100K 的频率

多数品牌仍采用更为成熟的平面栅工艺如onsemi、Wolfspeed等；使用沟槽栅工艺的品牌有Infineon、Rohm

要看MOS的寄生电容有多少，寄生电容越大，驱动电流就越大，寄生电容大，同样通过的电流就越大，芯片面积就大，成正比的

是的，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）的耐压能力通常比MSOFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）高很多。IGBT是一种高压、高电流功率开关器件，常用于需要承受较高电压和电流的应用，如电力电子、电动车辆和工业驱动等。 与IGBT相比，MSOFET通常用于低功率应用，其耐压能力较低。MSOFET是一种表面贴装场效应晶体管，适用于低电压和低功率的应用，如移动设备、通信设备和消费电子等。 对于高压应用，IGBT通常需要前驱动电路来确保其正常工作。IGBT的驱动电路需要提供足够的电流和电压来控制IGBT的开关过程。这是因为IGBT的控制电压较高，需要较大的电流来充放电门极电容。因此，IGBT的驱动电路设计和控制要求相对较高。 总之，IGBT的耐压能力较高，适用于高压高功率应用，而MSOFET适用于低功率低电压应用。对于IGBT的使用，通常需要专门的前驱动电路来确保其正常工作。

有的

不完全正确。碳化硅MOS管的ciss参数（输入电容）是指在给定的电压下，输入端（门极）和输出端（漏极）之间的电容。它反映了MOS管的输入特性。 驱动电流的大小主要由MOS管的输入电压和驱动电路的设计决定，而不是由ciss参数决定。驱动电流是通过门极电压和驱动电路中的电阻来控制的。通常，为了确保MOS管的正常开关操作，需要提供足够的驱动电流来充放电门极电容。 虽然ciss参数对于驱动电流的大小没有直接影响，但它在设计和分析MOS管的驱动电路时仍然是一个重要的参数。较大的ciss值可能需要更大的驱动电流和更强的驱动电路来确保快速而可靠的开关操作。 因此，在设计MOS管的驱动电路时，需要综合考虑输入电容、驱动电流和驱动电路的特性，以确保MOS管的正常工作。

平面栅工艺SiC MOSFET推荐Vgs=-3V/18V；

在相同功率下，SiC MOSFET和IGBT的发热情况取决于具体的应用和工作条件。一般来说，SiC MOSFET在高温、高频率和高功率应用中具有较低的导通电阻和开关损耗，因此其发热较低。而IGBT在相同工作条件下，由于其较高的导通电阻和开关损耗，因此其发热较高。

高温特性：碳化硅具有出色的高温特性，能够在高温环境下工作，甚至超过了传统的硅材料。它的热导率高，热稳定性好，能够承受高温和高功率的应用。 高电压特性：碳化硅具有较高的击穿电场强度，能够承受更高的电压。相比之下，传统的硅材料在高电压下容易发生击穿。 高频特性：碳化硅具有较高的电子迁移速度和较低的电容，使其在高频应用中表现出色。它能够实现更高的开关频率和更低的开关损耗。 低导通损耗：碳化硅具有较低的导通电阻和较低的开关损耗，能够提供更高的效率和更小的能量损耗。 抗辐射特性：碳化硅对辐射和电磁干扰具有较高的抗性，适用于一些特殊环境和应用，如航空航天和核能领域。

高压碳化硅（SiC）MOSFET的导通阻抗通常比传统的硅（Si）MOSFET更低，这是碳化硅的一个优点之一。具体的导通阻抗范围取决于具体的器件设计和制造工艺，以及工作条件。 一般来说，高压碳化硅MOSFET的导通阻抗（也称为导通电阻）可以达到几个mΩ（毫欧姆）的级别，甚至更低。相比之下，传统的硅MOSFET的导通阻抗通常在几十mΩ到几百mΩ之间。 通过降低导通阻抗，高压碳化硅MOSFET能够实现更低的导通损耗和更高的效率。这使得它们在高功率和高频率应用中具有优势，如电动汽车、太阳能逆变器、工业电源等。 需要注意的是，具体的导通阻抗取决于器件的尺寸、结构和工艺等因素。不同的厂家和型号可能会有不同的导通阻抗范围。因此，在选择和比较不同的高压碳化硅MOSFET时，建议参考其数据手册和规格表，以获取准确的导通阻抗信息。

碳化硅（SiC）通过低导通电阻、调节开关速度、低反向恢复电荷和高温特性等方面的优势，可以有效地减少开关损耗

常用的到1700，更高的耐压应用场所就少了，能做，但是用的不多，就不去做了

要针对某个型号去对比，才能知道可靠性，这是有针对性的

TO-263-7封装通常具有较低的热阻，这意味着它可以更有效地将热量传递到散热器上。相比之下，TO-220封装的热阻较高，可能需要更多的散热措施来保持温度较低。TO-263-7封装通常使用焊接或螺钉固定在散热器上，这种固定方式可以提供更好的热接触和散热效果。而TO-220封装通常使用插针固定在散热器上，可能会导致热接触不够紧密，影响散热效果。

目前模块形式，能做到1000A，

有的

导通电阻（Rds(on)），电压，电流等，设计方面要注意驱动电路设计，散热，电磁干扰等

直播分享的内容中有30KW Solar Inverter对比IGBT和SiC MOSFET方案的成本对比

有案例分享的，请留下您的电话和邮箱，我们会与您取得联系，谢谢支持

第三代半导体相比前两代（第一代是硅基半导体，第二代是化合物半导体）的主要改变在于材料的选择和特性的提升。以下是第三代半导体相对于前两代的主要改变和提升： 材料选择：第三代半导体主要采用了新型的材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。这些材料具有更高的电子迁移率、更高的饱和漂移速度和更高的击穿电场强度，使得器件能够在更高的频率和功率下工作。 高频特性：第三代半导体的器件具有更高的开关速度和更低的电阻和电容，使得它们能够在更高的频率下工作。这使得第三代半导体在高频应用中具有更好的性能，如射频功率放大器、雷达和通信系统等。 高温特性：第三代半导体材料具有更高的热稳定性和更好的高温特性。这使得第三代半导体器件能够在更高的温度下工作，适用于高温环境和高功率应用。 功率特性：第三代半导体器件具有更高的功率密度和更低的开关损耗。这使得第三代半导体在功率电子应用中具有更高的效率和更小的体积。 在工艺和制程方面，第三代半导体也有一些提升： 制造工艺：第三代半导体的制造工艺相对于前两代更加复杂和成熟。制造商已经发展出了适用于碳化硅和氮化镓等材料的工艺流程，包括外延生长、晶圆加工和封装等。 尺寸缩小：第三代半导体器件的尺寸可以更小，这使得器件能够在更高的集成度下工作，提供更高的性能和更小的体积。 新型器件结构：第三代半导体引入了一些新型的器件结构，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和金属-绝缘体-半导体场效应晶体管（MISFET）。这些新型结构具有更好的性能和特性，适用于高频和高功率应用。 总的来说，第三代半导体相对于前两代在材料选择、高频特性、高温特性和功率特性等方面有了显著的提升，同时在工艺和制程方面也有了进一步的发展和改进。这使得第三代半导体在一些特定的应用领域具有更好的性能和潜力。

优化布局设计可以减少串联干扰，同时建议使用TO247-4封装的产品

车载充电器OBC 是可以用的，比如我们11KW DCDC方案上面应用了1200V&1700V Sic

车载充电器OBC 11KW是可以用的，比如我们11KW DCDC方案上面应用了1200V&1700V Sic

开关频率4~500KHZ

Sic Mos第2代如果是1200V，导通电阻在7.7~233，650V在6.7~50

Sic工作频率可以达到4~500KHZ

更多产品咨询，可电话联系贝能工作人员：0591-87382580

更多产品咨询，可电话联系贝能工作人员：0591-87382580

可电话联系贝能工作人员：0591-87382580

sic开关频率可以达到4~500KHZ

Sic开关频率比较高，损耗小，可靠性高

98.5%@50% load

Sic开关频率比si高，可靠性高

开关频率可以达到4/500KHZ

有的，关注贝能公众号与当地销售办联系，谢谢！

IFX 第二代产品驱动建议在0~18V

允许关断电压范围：-7~0V，允许开通电压范围：15~23V，更加建议在0~18V使用

有的，1200V SiC IPM.

更多产品咨询，可电话联系贝能工作人员：0591-87382580

英飞凌第2代产品和第1代产品主要区别在于：首先Rds（on)减少，其次改进了.XT技术，降低了热阻，更加具有性价比，提高性能，FOM提高，驱动电压范围在-7-23V，高可靠性，更好的冷却

有功能隔离、基本隔离、加强隔离，最高隔离电压5.7 kV(rms)

一般不需要，IC本体的脚距可以达到IC的隔离等级要求

磁隔离

有的，包含1通道2通道等，具体需求可电话联系贝能工作人员：0591-87382580

与通过的电流有关，大电流时约4V，可以参考规格书

优化PCB Layout+ 米勒钳位

可以的，只是并联的单管数量最好不要超过4个。

是的额

CMTI

是的

可以，SiC的性能没有发挥出来，Rdson比较达，参考规格书中的传输曲线

工作频率可以到4/5百KHz

英飞凌SiC MOS驱动电压18V，不需要负电压，电路与MOS类似

1200VSic第2代产品导通电阻可以在7.7~233.9

有的

有的，更多产品咨询，可电话联系贝能工作人员：0591-87382580

有的，英飞凌Sic驱动IC包含1和2通道的，并且UVLO可以达到4，8，12，15

Sic Mos的耐压包含650V，750V，1200V，IFX第2代650V D²PAK-7导通电阻比其他减少百分之41，1200VD²PAK-7减少百分之43

英飞凌QDPAK和DDPAK封装采用顶部散热封装设计，可以解决您的需求

后面有讲到，安规，系统电压，驱动电流

高压Sic工作频率可以到4~500KHz

器件的温度，散热片的温度

相比较G1，G2热阻可以降低12%

英飞凌目前第二代产品驱动范围在-7V~23V，更加建议在0-18V驱动

是的，主要是欠压电压比较高，一般13~14V，驱动电压建议是18V

目前分为通孔，顶部和底部散热，其中最佳热性能是顶部散热

有600V，650V，750V，1200V，产品最丰富的是650V

英飞凌SiC MOS驱动电压建议18V，不需要负电压关断

各个驱动电路参数一致，layout对称，分布杂散电感尽量小，尽量对称

使用开尔文4脚结构的封装，如TO-247-4封装

可以

可以，

保护器件，功率半导体，开关

主要是电压标注方式不一样

智能保险丝的响应速度是很快的，不过可以有不同的响应方式，有的是限流，有的是重启，有的是关机

反应慢

可以的，智能保险丝可以实现过流保护，响应时间是ns级。

如果要非常接近，最好选date code 一致的

是的，有快 有慢的，型号比较多，需要具体看。

可以的，非常适合。。目前我们有参与一些类似的 ，高压直流柔性输电，HVDC 项目

主要是看浪涌要求，一般TVS的尺寸都不大，常见的是SMB，SMC封装

有的产品有带

PTC和NTC的用法不一样，PTC是正温度系数，NTC是负温度系数

MOV是浪涌保护产品，是否有具体应用和需求？

具体与结构设计，硬件冗余，软件方案，电路寄生参数，吸收电路都有关系。具体可以联系Littelfuse相关技术人员针对项目特点讨论

有175度的

一般是同类器件并联比较好

要看产品的规格和批量一致性及可靠性

有部分解决方案，具体可以联系我们。

没有直接的影响，看具体的应用。

涵盖了从 保护器件，开关，功率器件，控制 的设计，提供一站式服务

目前没有这种方案，会影响到绝缘阻抗

几乎常见的封装我们都有覆盖。我们还有自己独特的封装产品，具体可以登录Littelfuse网址查询或者联系我们

规格书中有一条曲线，是脉冲宽度和对应功率的曲线，可以帮助评估。

针对不同的产品有不同的浪涌强制要求，一般是需要加浪涌保护器件的

主要是看功率

有的

防炸是被动失控状态下的情况，建议优先考虑设计冗余和电路设计，软件设计，吸收电路设计的合理性

金属软压接工艺

评估温升。TVS是半导体器件，寿命比MOV等器件要好很多

我们规格书中有标注工作的环境温度，可以看看是否可以满足你们的温度要求。

是的

集成了

是的，理论上更加省油

可以的，船舶的面积不够大，能挂的太阳能板不够多，功率不够。

暂时还没有，如果需要，可以申请做。但这种一般用在大功率商用车和船上，没有AECQ 要求。

有的，断开状态监测是TMOV产品。

主要还是压接工艺的设计，以及 bus bar，散热器应力的设计。

不是木片， 是金属钼片

我们目前正在开发高压大功率的IGBT模块，敬请期待

刚刚的案例在大功率充电桩的效率超99%

是的，主要两个解决方案方向不同。

12脉，或者24 脉，电流谐波和恒流效果可以做得很好了。

做的实验比较多，都是符合行业标准。通过15000次实验，可以提供报告

接在门极触发电路控制板上

门级 需要正负电压 不对称保护

保护电路 + 控制算法

市面上有很多仿真软件

目前主流，均流的实现，以控制算法为主...电路设计为辅

这个问题比较宽泛，主要是精通各种 AC-DC DC-DC DC-AC的拓扑设计

提供系统控制，监控等

这个与电路拓扑架构和软件控制方案有很大关系。

移像全桥可能更好点

主要处理功率变换

可以的。 也可以用大扭矩实现，这个是电机的优势。

通用驱动器，两者都可驱动

有的，我们的TVS在有源钳位来吸收开关尖峰是量产方案，没有发现会把驱动打死。

TVS是用来吸收瞬间过压的，不建议用于长时间过压的场合。

都是过压保护器件，要看具体应用和要求。例如diode array是信号保护器件，不过也有客户要求要有一定的浪涌保护能力。

不同的应用有不同的快断或慢断的要求。

一个是设计电路时注意电路吸收电路能不能满足设计要求，另一方面减小电路寄生参数，最后功率半导体的开关软硬度也会影响电路的浪涌

MOV, 气体放电管，SIDACtor, TVS , Diodee Array .

TVS 的电容非常低，可以忽略

铝基板，铝直立散热器，水冷，油冷，风冷。。

80% 合理

主要起到产生符合检测被起搏人体电阻的高压除颤波形

效率高，频率高，可以减小电感体积

一般都是平面栅极结构，高压可靠性高

DCB 衬底是最直接的办法

这个需要综合的考虑：1，如果电压波动波较大，应用比较特殊，建议使用更高电压等级的IGBT。2，增加尖峰吸收电路。 3，尽量减少IGBT的电流环路的寄生参数。4，与硬件设计参数也有很大关系。是一个综合考虑的问题

需要询问当地的销售代理

都有

对的，有些消费电子的产品的寿命要求更高，但对应操作温度，抗冲击震动等，车辆产品的要求更高。

半桥 集成了低端 高端 一起了

没有 OBC 的开发板，只有驱动的开发板。

Littelfuse有pushbutton 的标准品，端子，铁壳是金属的，housing是塑胶的，也可以定制产品，但有量的要求。

有的，有低端 和 半桥

可以的，就是我们的轻触开关，tactile switch

littelfuse有非常齐全的保护器件，提高浪涌保护能力也有很多方案，是否有具体的应用和要求？

BMS 有涉足，不过只是里面的零器件。

耐压有差异的，有慢断规格，具体要看应用需求。

根据工作电压，工作电流，工作温度，使用寿命要求等综合评估。

这个目前没有确切的标准，这与你的设计拓扑和硬件设计有很大关系。

目前我们正在做这个领域，我们正在想把矿用电车的成功领域复制到高功率的商用车上

我们可以帮客户评估保护性能。

这个要看具体是哪个类别的功率器件，比如IGBT和MOSFET有很多系列，这些系列针对不同的应用场景也有所区别。大部分最高温度是150或者175

我们有动态Crowbar的设计方案

不需要AECQ认证，但是需要符合船舶设计标准